ASML, Intel, Samsung e TSMC spingono verso i nuovi photomask 6×12 pollici per High-NA EUV
La transizione ai reticoli 6×12 pollici promette grandi vantaggi in litografia, ma richiederà anni e una rivoluzione infrastrutturale.
ASML, Intel, Samsung e TSMC hanno annunciato una collaborazione strategica per accelerare la transizione verso photomask 6×12 pollici (reticoli) destinati alla litografia High-NA EUV. Questo nuovo formato è cruciale per permettere l’esposizione di chip di grandi dimensioni in un unico passaggio, eliminando la complessa necessità di stitching delle immagini tipica dell’attuale scenario produttivo.
La tecnologia High-NA EUV, grazie a una numerical aperture di 0,55, consente una risoluzione di 8nm in singola esposizione, permettendo densità maggiori e semplificando i processi. Tuttavia, le attuali maschere 6×6 pollici limitano il campo di esposizione utile, costringendo i produttori a segmentare i chip più grandi o ad allineare più esposizioni, con rischi di difetti e perdita di resa.
L’adozione dei nuovi reticoli 6×12 pollici comporta però sfide notevoli: si rende necessario ripensare l’intera infrastruttura di produzione, dalla fabbricazione delle maschere ai sistemi di movimentazione e ispezione, fino alle modifiche sulle scanner High-NA EUV di ASML.
La transizione sarà graduale: l’industria dovrà gestire per anni entrambi i formati, aumentando costi e complessità, e l’adozione su larga scala è prevista solo dopo il 2031. I nuovi reticoli saranno fondamentali soprattutto per grandi design come AI accelerator, CPU e GPU di fascia alta.
