Intel amplia la produzione di photomask in California per le tecnologie EUV avanzate
Nuovo impianto a Santa Clara rafforza la capacità produttiva di maschere per processi DUV, EUV e High-NA di ultima generazione.
Intel ha avviato l'espansione del proprio campus Bowers a Santa Clara, California, con la costruzione di una nuova struttura di produzione e di un edificio ausiliario dedicati alla realizzazione di photomask avanzate. Questo passo mira a potenziare la capacità di Intel nella produzione interna di reticoli per processi produttivi all'avanguardia.
La nuova fabbrica ospiterà una cleanroom di classe 1 su una superficie di oltre 9.900 metri quadrati e sarà in grado di produrre maschere da 6 pollici x 6 pollici per diversi nodi, dai 32nm fino alle future tecnologie da 1,4nm. Il focus principale sarà la generazione di reticoli per i nodi più avanzati come Intel 18A, 18A-P, 14A e successivi, che richiedono pattern estremamente densi e l'utilizzo di EUV e High-NA EUV.
Intel è tra i pochi produttori globali di semiconduttori che mantengono una divisione interna di mask writing, elemento chiave poiché ogni prodotto avanzato richiede centinaia di maschere e la rapida produzione di nuove versioni impatta direttamente sulle tempistiche produttive. Le maschere EUV, essendo soggette a danneggiamento, rendono inoltre fondamentale la rapidità nell'approvvigionamento.
Un vantaggio distintivo di Intel è la realizzazione in-house di strumenti per la scrittura dei photomask tramite la sua controllata IMS Nanofabrication, che utilizza multi-beam mask writers (MBMW) per aumentare significativamente il throughput e la precisione di posizionamento dei pattern a scala nanometrica.
