Intel e SoftBank sviluppano Z-Angle Memory per il futuro dei data center AI
Intel torna nel settore memory insieme a SoftBank con ZAM: capacità e prestazioni superiori a HBM, prototipi attesi nel 2027.
Intel e la controllata di SoftBank, Saimemory, hanno annunciato una collaborazione per la creazione della nuova Z-Angle Memory (ZAM), una memoria verticale progettata per superare l'attuale High Bandwidth Memory (HBM) utilizzata nei data center AI.
ZAM punta a offrire una capacità da due a tre volte superiore rispetto a HBM, mantenendo un consumo energetico dimezzato e costi produttivi fino al 60% inferiori. Questi risultati sono raggiunti grazie all'impiego di tecniche di stacking verticale dei chip DRAM e all'integrazione della tecnologia Embedded Multi-Die Interconnect Bridge (EMIB) di Intel, capace di ridurre significativamente la latenza.
Il progetto rappresenta il ritorno di Intel nel settore delle memorie e la prima produzione avanzata di memoria in Giappone da decenni, coinvolgendo anche attori come Fujitsu, PowerChip, Shinko Electric e l'Università di Tokyo. Le prime versioni prototipali di ZAM sono previste per il 2027, con l'obiettivo di avviare la produzione di massa entro il 2029.
Secondo SoftBank, lo sviluppo di questa tecnologia sarà fondamentale per rafforzare la competitività globale del Giappone e supportare la futura infrastruttura sociale digitale, rispondendo alle crescenti esigenze di capacità e efficienza dei sistemi AI.
