Intel supera il milione di wafer High-NA EUV e guida l’innovazione verso nuovi fotomaschere giganti
La multinazionale accelera la produzione con High-NA EUV, anticipando l'adozione di fotomaschere 6×12 pollici per processi più efficienti.
Intel ha annunciato di aver superato il traguardo di un milione di wafer lavorati con scanner High-NA EUV (Extreme Ultraviolet), consolidando il proprio ruolo di leadership nel panorama della litografia avanzata. Questo risultato è stato raggiunto in meno di due anni e mezzo dall’assemblaggio del primo strumento e comprende fasi di installazione, certificazione, ricerca e sviluppo nonché produzione di processori come Panther Lake sulla tecnologia di processo 18A.
L’azienda impiega attualmente scanner ASML Twinscan EXE:5000 ed EXE:5200B, riuscendo a incrementare drasticamente la capacità rispetto allo scorso anno, superando di fatto il resto dell’industria nell’utilizzo cumulativo di questi strumenti. “Il milione di wafer rappresenta una pietra miliare di maturità di processo e flotta”, confermano fonti interne.
Per ora, Intel utilizza fotomaschere standard da 6 pollici, che richiedono la tecnica di field stitching per chip di grandi dimensioni, con alcune limitazioni su throughput, precisione e layout. Per risolvere queste criticità, Intel sta sviluppando nuove fotomaschere da 6×12 pollici, che permetterebbero esposizioni di campo intero senza stitching, semplificando la progettazione e aumentando la resa produttiva. L’adozione di queste maschere richiederà profondi cambiamenti nell’ecosistema della produzione di semiconduttori, ma Intel si posiziona come promotrice principale di questa evoluzione tecnica.
