Intel supera il milione di wafer High-NA EUV: guida l’innovazione nei photomask giganti
L’azienda batte la concorrenza sui wafer prodotti con High-NA EUV e accelera lo sviluppo di photomask 6×12 pollici.
Intel ha annunciato di aver superato il traguardo di un milione di wafer da 300 mm processati utilizzando scanner High-NA EUV. Questo risultato, raggiunto in meno di due anni e mezzo dall’assemblaggio del primo strumento, rappresenta un primato nell’industria dei semiconduttori.
Attualmente, Intel impiega photomask standard da 6 pollici, ma sta lavorando su nuovi photomask da 6×12 pollici per consentire esposizioni su campi completi di 26×33 mm senza necessità di stitching, superando i limiti delle soluzioni attuali che impongono esposizioni in due metà. Il stitching riduce la produttività e richiede estrema precisione nell’allineamento, con potenziali difetti nei chip di grandi dimensioni.
La transizione verso photomask più grandi implica cambiamenti significativi nell’ecosistema: dalla produzione e ispezione delle maschere, ai sistemi di manipolazione e agli scanner stessi, che dovranno essere riprogettati. Secondo la roadmap di ASML, le future generazioni di scanner High-NA EUV sono ancora pensate per reticoli da 6×6 pollici, ma Intel sta promuovendo l’evoluzione dello standard.
Se il passaggio ai photomask 6×12 si concretizzerà, Intel potrebbe ottenere un vantaggio competitivo duraturo, definendo le regole della prossima generazione di lithography.
