Samsung svela le nuove memorie zHBM per acceleratori AI: efficienza e densità rivoluzionarie
Presentato al FMS 2026 il concept zHBM che promette performance fino a 8 volte superiori a HBM5 grazie a wafer bonding avanzato.
Samsung ha presentato al Future of Memory and Storage 2026 la sua nuova tecnologia zHBM, pensata per i data center AI di prossima generazione. La soluzione si basa su wafer bonding avanzato e prevede l'integrazione diretta di stack HBM sull'acceleratore AI, riducendo drasticamente la distanza tra memoria e unità di calcolo.
Secondo Samsung, questa architettura consente di ottenere una banda passante e un'efficienza energetica superiori, proiettando incrementi prestazionali fino a 8 volte rispetto a HBM5. Inoltre, si prevede una densità di memoria 10 volte maggiore, una efficienza energetica 3 volte superiore e una resistenza termica ridotta di oltre il 50% rispetto a HBM5. Tuttavia, i dettagli tecnici precisi e le tempistiche di commercializzazione non sono stati ancora divulgati.
Samsung ha inoltre sottolineato che il design custom della zHBM permetterà l'integrazione di IP specifici del cliente nel layer di interconnessione tra stack HBM e processore AI, rendendo la soluzione altamente personalizzabile e non vincolata a standard di settore. Questa strategia mira a rispondere alle esigenze di elaborazione avanzata nel settore AI, puntando su scalabilità, densità e prestazioni senza precedenti per i data center del futuro.
