SMIC avanza con il nodo N+3: densità record senza EUV, ma restano i limiti
L’analisi del chip Kirin 9030 conferma la maturità tecnologica di SMIC, che raggiunge una densità superiore a TSMC N6 senza EUV.
L’analisi di SemiAnalysis sul Kirin 9030 di Huawei mostra come SMIC, principale fonderia cinese, abbia raggiunto un significativo traguardo tecnologico con il suo processo N+3 a 7nm-class. Questo nodo offre un metal pitch minimo di 32,5nm, inferiore rispetto a molti processi concorrenti, e una densità stimata di 113,4 milioni di transistor per mm², superiore a quella di TSMC N6, che impiega litografia EUV.
SMIC ottiene questi risultati utilizzando tecniche avanzate di DUV multi-patterning, incluso il self-aligned quadruple patterning, e strategie di design-technology co-optimization. Sono state adottate soluzioni come la riduzione del numero di fin e il posizionamento diretto dei contatti sopra i gate per aumentare ulteriormente la densità.
Tuttavia, l’incremento della densità non si traduce automaticamente in prestazioni o efficienza energetica paragonabili ai leader di mercato. Il Kirin 9030 offre performance simili a SoC di tre anni fa e rimane indietro rispetto a Apple, Qualcomm, MediaTek e Samsung per efficienza e potenza.
Secondo SemiAnalysis, nonostante le restrizioni sulle esportazioni rallentino il progresso tecnologico cinese, SMIC continua a migliorare. Tuttavia, solo la densità dei transistor non basta a colmare il divario con le tecnologie più avanzate.
