CXMT annuncia DDR5 RDIMM server con tecnologia DRAM 4F² entro fine anno
La nuova memoria di CXMT sfrutta transistor verticali per aumentare la densità delle celle DRAM nei server, debutto atteso a fine 2024.
CXMT prevede di lanciare entro la fine del 2024 il suo primo server DDR5 RDIMM basato su tecnologia DRAM 4F², secondo quanto annunciato dal presidente Cao Kanyu. Il nuovo modulo utilizza una disposizione delle celle più densa attraverso l'impiego di transistor verticali, riducendo l’ingombro delle celle di circa un terzo rispetto agli attuali standard.
Il cuore dell’innovazione è il transistor Vertical Surrounded Gate (VSG), caratterizzato da un canale verticale avvolto dal gate: questo design permette un miglior controllo con meno dispersioni, oltre a diminuire l’area della cella stessa. "Con il posizionamento verticale, otteniamo una densità superiore senza aumentare le perdite", ha spiegato Cao durante una conferenza di settore.
CXMT possiede ormai oltre 300 famiglie di brevetti relativi a 4F². L’adozione di architetture verticali e tecniche di hybrid bonding sta guidando l’evoluzione dell’industria DRAM verso una maggiore indipendenza tra logica e densità delle celle.
Nonostante l’annuncio, non sono stati ancora comunicati parametri tecnici chiave quali velocità, capacità o dati sul processo produttivo di questi nuovi moduli. Il settore guarda con interesse al rilascio effettivo, considerando la crescente competitività di CXMT tra i principali produttori mondiali di memoria.
