DDR6: Al via lo sviluppo della nuova generazione di memoria ultra-veloce
Samsung, SK Hynix e Micron avviano i primi test su DDR6, che promette velocità doppie rispetto a DDR5. L’arrivo è previsto dopo il 2028.
Le principali aziende del settore memory — Samsung Electronics, SK Hynix e Micron — hanno ufficialmente avviato lo sviluppo della prossima generazione di RAM: DDR6. I primi prototipi, sviluppati in collaborazione con i produttori di substrati, sono ora in fase di verifica, segnando l'inizio di un percorso che porterà a una nuova rivoluzione nelle prestazioni delle DRAM.
La DDR6 è progettata per oltrepassare i limiti dell’attuale standard DDR5, raddoppiando la velocità di trasferimento dati, oggi ferma a 8,4 Gbps. Questa evoluzione sarà cruciale soprattutto per i server destinati all’intelligenza artificiale, che richiedono sempre più banda e prestazioni superiori.
Restano però diverse sfide tecniche da superare: «Aumentare la velocità rende molto più complesso garantire integrità del segnale ed efficienza energetica», spiegano fonti del settore. La collaborazione tra produttori di memoria e partner per i substrati risulta così determinante già nelle fasi iniziali.
Nonostante l’entusiasmo, la JEDEC non ha ancora finalizzato le specifiche ufficiali della DDR6, mentre la produzione su larga scala è attesa non prima del 2028-2029, in attesa di una chiara domanda di mercato e di una stabilizzazione dei prezzi delle RAM, attualmente molto elevati a causa del boom dell’AI.
