Intel: la tecnologia 14A sarà più costosa ma promette migliori prestazioni
Il CFO di Intel conferma che il processo 14A offrirà prestazioni migliorate rispetto al 18A, ma a un costo maggiore.
Intel ha annunciato che il suo processo di fabbricazione 14A, basato sulla tecnologia a 1.4nm, sarà più costoso rispetto al nodo di produzione 18A. Il motivo principale è l'utilizzo della macchina di litografia avanzata ASML Twinscan EXE:5200B High-NA, dotata di un'apertura numerica di 0.55.
Il chief financial officer di Intel, David Zinsner, ha dichiarato alla conferenza Citi's 2025 Global TMT che, sebbene l'investimento richiesto non sia significativamente più alto, il costo per wafer lo sarà. Questo è dovuto all'implementazione di strumenti EUV High-NA nel 14A, a differenza del 18A.
Intel prevede che il 14A offrirà un miglioramento del 15% - 20% nelle prestazioni per watt o una riduzione del 25% - 35% nel consumo energetico rispetto al 18A. Tra le innovazioni chiave, il 14A include RibbonFET 2 e PowerDirect, oltre ai Turbo Cells per migliorare la frequenza di CPU e GPU.
Nonostante i costi elevati, Intel ritiene che l'adozione del 14A sia fondamentale per giustificare l'investimento, soprattutto se supportata da clienti esterni. Tuttavia, Intel potrebbe essere costretta a continuare lo sviluppo del 14A per adempiere agli accordi con il governo degli Stati Uniti, che richiedono il mantenimento del controllo su Intel Foundry.
Cosa significa 'High-NA' nella litografia EUV?
High-NA
Quali sono le principali innovazioni introdotte nel processo 14A di Intel?
Il processo 14A di Intel introduce diverse innovazioni chiave, tra cui RibbonFET 2, PowerDirect e Turbo Cells. RibbonFET 2 è una tecnologia di transistor avanzata che migliora le prestazioni e l'efficienza energetica. PowerDirect ottimizza la gestione dell'alimentazione, mentre le Turbo Cells aumentano la frequenza operativa di CPU e GPU, migliorando le prestazioni complessive dei chip.
Perché il processo 14A di Intel è più costoso rispetto al 18A?
Il processo 14A di Intel è più costoso rispetto al 18A principalmente a causa dell'adozione della litografia High-NA EUV, che richiede macchinari avanzati come l'ASML Twinscan EXE:5200B. Questi strumenti hanno un costo elevato e aumentano il costo per wafer, nonostante l'investimento complessivo non sia significativamente superiore.
Quali sono i vantaggi della litografia High-NA EUV rispetto alla Low-NA EUV?
La litografia High-NA EUV offre una risoluzione più elevata rispetto alla Low-NA EUV, permettendo di realizzare transistor più piccoli e densi. Ad esempio, il sistema High-NA EUV può raggiungere una risoluzione di 8 nm in un'unica esposizione, mentre i sistemi Low-NA EUV raggiungono una risoluzione di 13 nm. Questo riduce la necessità di tecniche di multipatterning, semplificando il processo produttivo e migliorando l'efficienza.
Come si posiziona Intel rispetto ai concorrenti nell'adozione della litografia High-NA EUV?
Intel è stata la prima azienda a installare e utilizzare macchinari High-NA EUV, come l'ASML Twinscan EXE:5000, elaborando oltre 30.000 wafer nel suo stabilimento D1X in Oregon. Questo posiziona Intel in vantaggio rispetto a concorrenti come TSMC e Samsung, che hanno adottato un approccio più cauto nell'implementazione di questa tecnologia avanzata.
Quali sono le sfide associate all'implementazione della litografia High-NA EUV?
L'implementazione della litografia High-NA EUV presenta diverse sfide, tra cui l'elevato costo dei macchinari, che possono superare i 400 milioni di dollari per unità, e la complessità tecnica nell'integrazione di nuovi strumenti nel processo produttivo. Inoltre, la transizione a questa tecnologia richiede significativi investimenti in ricerca e sviluppo per ottimizzare i processi e garantire rendimenti produttivi adeguati.
