Intel svela i progressi nel packaging avanzato con EMIB-T
EMIB-T apre la strada a HBM4 e aumenta la larghezza di banda UCIe migliorando comunicazione e efficienza energetica.
Intel ha presentato alcune importanti innovazioni nel chip packaging durante l'Electronic Components Technology Conference (ECTC). La nuova tecnologia EMIB-T rappresenta un'evoluzione del sistema EMIB attuale, integrando i through-silicon vias (TSV) per migliorare l'efficienza nella distribuzione di potenza e la comunicazione tra i chiplet. EMIB-T risolve le problematiche di caduta di tensione del sistema tradizionale, offrendo un percorso più diretto per l'alimentazione, cruciale per l'integrazione di memorie HBM4/4e.
Questa tecnologia non solo potenzia la comunicazione tra i die, ma permette anche di raggiungere dimensioni di package fino a 120x180mm, con supporto per oltre 38 ponti e 12 die di dimensioni reticolari. La densità di connessione è incrementata grazie a un bump pitch scalabile fino a 35 micrometri, con prospettive future di 25 micrometri.
Intel ha inoltre sviluppato un nuovo design per lo heat spreader disaggregato, che migliora l'accoppiamento con il materiale di interfaccia termica, riducendo i vuoti di saldatura del 25%. Inoltre, l'innovativo processo di thermal compression bonding permette di realizzare package di dimensioni maggiori migliorando i tassi di resa e affidabilità.
Queste tecnologie sono fondamentali per Intel Foundry, che mira a fornire soluzioni di produzione chip avanzate per clienti esterni, compresi colossi come AWS e Cisco, contribuendo alla strategia di crescita della compagnia nel mercato dei semiconduttori.
Cosa significa EMIB-T e quali sono le sue innovazioni rispetto alla tecnologia EMIB tradizionale?
EMIB-T, o Embedded Multi-die Interconnect Bridge con Through-Silicon Vias
Quali sono i vantaggi dell'utilizzo di EMIB-T in termini di dimensioni del package e densità di connessione?
EMIB-T consente di raggiungere dimensioni di package fino a 120x180mm, supportando oltre 38 ponti e 12 die di dimensioni reticolari. Inoltre, la densità di connessione è incrementata grazie a un bump pitch scalabile fino a 35 micrometri, con prospettive future di 25 micrometri, migliorando così l'efficienza e le prestazioni complessive del sistema.
In che modo il nuovo design dello heat spreader disaggregato e il processo di thermal compression bonding migliorano le prestazioni dei package?
Il design dello heat spreader disaggregato migliora l'accoppiamento con il materiale di interfaccia termica, riducendo i vuoti di saldatura del 25%. Il processo innovativo di thermal compression bonding permette di realizzare package di dimensioni maggiori, migliorando i tassi di resa e l'affidabilità complessiva del prodotto.
Quali sono le principali differenze tra EMIB e Foveros nelle tecnologie di packaging di Intel?
EMIB
Come si confronta la tecnologia EMIB di Intel con le soluzioni di packaging avanzate di TSMC?
La tecnologia EMIB di Intel offre un'alternativa efficiente e meno costosa rispetto alle soluzioni di packaging 2.5D tradizionali che utilizzano interposer di silicio, come quelle di TSMC. EMIB utilizza piccoli ponti di silicio incorporati nel substrato per connettere i die, riducendo la complessità e i costi associati agli interposer di silicio completi.
Quali sono le implicazioni dell'integrazione di memorie HBM4/4e nei package con tecnologia EMIB-T?
L'integrazione di memorie HBM4/4e nei package con tecnologia EMIB-T migliora significativamente la larghezza di banda e l'efficienza energetica dei sistemi, rendendoli ideali per applicazioni ad alte prestazioni come l'intelligenza artificiale e il calcolo ad alte prestazioni. EMIB-T facilita questa integrazione grazie a una distribuzione di potenza più efficiente e a una comunicazione migliorata tra i chiplet.
