Micron abbandona lo sviluppo di DRAM 4F²: focus su 6F² e 3D DRAM
Dopo vent'anni di ricerca, Micron dichiara inefficace la tecnologia 4F² DRAM e punta su soluzioni 6F² evolute e 3D DRAM.
Micron ha annunciato ufficialmente l'abbandono della progettazione di DRAM basate su celle 4F², una scelta di rottura rispetto ai piani di altri concorrenti come Samsung e SK hynix. Secondo Micron, nonostante il design 4F² prometta di aumentare la densità delle celle riducendo le dimensioni dell'area occupata rispetto ai tradizionali 6F², in pratica l'architettura non offre vantaggi significativi in termini di densità e comporta una maggiore complessità produttiva e costi elevati.
L'azienda spiega che la vera limitazione nella miniaturizzazione della cella DRAM risiede nel pitch e nella dimensione del condensatore, elementi che definiscono la densità ottenibile, indipendentemente dall'area del transistor. Come dichiarato da Scott DeBoer, CTO di Micron: “Il passo del condensatore determina la densità delle celle DRAM — non se la cella è 6F², 4F², o 8F².”
Micron punta quindi a spingere la scalabilità della tradizionale architettura 6F², sfruttando nuove litografie, materiali avanzati e tecniche come il wafer bonding. Parallelamente, lo sviluppo della 3D DRAM, che consentirà di aumentare la densità tramite sovrapposizione verticale delle celle, rappresenta la strategia a lungo termine dell'azienda, in alternativa ai tentativi di riduzione laterale offerti dalla 4F².
