Micron annuncia 3D NAND G11: densità raddoppiata e oltre 400 layer
La nuova generazione G11 di Micron promette il doppio della densità, prestazioni I/O superiori e consumi ridotti grazie a wafer-on-wafer bonding.
Micron ha svelato la nuova generazione di memoria 3D NAND denominata G11, che entrerà in produzione di massa nella seconda metà del 2027. Questa nuova soluzione rappresenta un salto tecnologico rispetto all'attuale generazione G9, con obiettivi chiari: raddoppiare la densità di bit, migliorare le prestazioni I/O del 50% e ridurre i consumi energetici di oltre il 25% per ogni bit trasferito.
L'innovazione chiave di G11 è l'adozione del wafer-on-wafer bonding, che permette di realizzare array di memoria e circuiti periferici su wafer separati, ottimizzando i processi e abilitando una maggiore flessibilità progettuale. Così sarà possibile ottenere sia capacità che prestazioni superiori, rispondendo alle esigenze di SSD ad alta capacità e di dispositivi di storage per l'AI, dove sono richieste ampiezza di banda e efficienza energetica elevate.
La nuova architettura prevede inoltre più di 400 layer di NAND e una riduzione delle dimensioni delle celle, incrementando ulteriormente la densità rispetto alle soluzioni concorrenti. Micron continuerà a investire in materiali ad alta mobilità e architetture di cella ultra-dense, orientando il futuro sviluppo di 3D NAND non solo su un aumento dei layer ma anche su una riduzione costante delle dimensioni delle celle.
