Samsung anticipa HBM5: prestazioni raddoppiate rispetto a HBM4E
La nuova memoria HBM5 promette il doppio della bandwidth e maggiore efficienza energetica entro il 2029, rivoluzionando il settore AI.
Samsung ha presentato le prime anticipazioni su HBM5, la prossima generazione di memoria ad alta banda passante, in occasione del 'Memory Executive Summit'. L'obiettivo dichiarato è raddoppiare le prestazioni rispetto alle attuali HBM4E, migliorando al contempo l’efficienza energetica del 20% per ogni watt consumato.
Per raggiungere tale traguardo, Samsung suggerisce che si potrebbe aumentare il numero di pin di interfaccia fino a 4.096 bit, raddoppiando così la banda dati per stack e portandola a circa 4 TB/s entro il 2028-2029. Altre ipotesi tecniche includono l’innalzamento della velocità di trasferimento per singolo pin da 12 GT/s a 24 GT/s, oppure una combinazione delle due strategie. Tuttavia, tali scenari sollevano importanti sfide progettuali e di integrazione a livello di package.
Tra le novità già annunciate da Samsung, le memorie HBM5 integreranno un Heat Path Block (HPB) per ridurre la resistenza termica del 20%, semplificando il raffreddamento dei moduli. Secondo le prospettive di settore, l’adozione di HBM5 sarà determinante per i futuri AI accelerator, che potranno disporre di configurazioni fino a 24 stack per package, raggiungendo una bandwidth complessiva fino a 96 TB/s.
Le specifiche definitive di HBM5 restano ancora oggetto di discussione all’interno del JEDEC, ma l’ambizioso obiettivo di Samsung segna un passo cruciale nell'evoluzione delle memorie per sistemi ad alte prestazioni.
