Samsung presenta la roadmap HBM: memoria e calcolo integrati nel futuro zHBM
La nuova architettura zHBM di Samsung promette unire DRAM e processore, rivoluzionando banda, efficienza e gestione termica.
Samsung ha illustrato al convegno Hot Chips 2026 una roadmap in tre fasi che punta a trasformare la high-bandwidth memory (HBM) in un sistema integrato di memoria e calcolo. Il punto d’arrivo è l’architettura zHBM, in cui la DRAM viene impilata direttamente sopra il processore, eliminando l’interposer 2.5D tradizionale e accorciando drasticamente il percorso dei dati.
Il primo passo è stato lo spostamento della base die HBM su un processo logico a 4nm, iniziato con HBM4, che riduce consumi e ingombro, oltre a consentire l’integrazione di nuove funzionalità. Nelle successive fasi, Samsung prevede di trasferire sempre più funzioni di gestione e calcolo direttamente nella base die, fino ad arrivare alla rimozione completa della separazione fisica tra memoria e XPU.
La fase finale, zHBM, propone una struttura 3D in cui il processore si trova sotto la DRAM impilata, con interfacce I/O distribuite sull’intera superficie. Samsung prevede una riduzione del 70% dei consumi I/O rispetto a HBM5 e un raddoppio della banda utile per la DRAM, senza sacrificare efficienza termica grazie a nuove soluzioni di dissipazione e bonding wafer-on-wafer avanzato.
La roadmap non ha ancora date di lancio definite, ma la transizione verso un’integrazione sempre più stretta tra memoria e calcolo è già iniziata, con HBM4 come primo tassello concreto.
