SK hynix completa l'acquisizione degli impianti NAND di Intel in Cina
La transazione segna l'uscita di Intel dal business delle NAND in Cina, in un contesto di nuove restrizioni statunitensi.
SK hynix ha ufficialmente completato l'acquisizione della divisione NAND e SSD di Intel, segnando la fine della presenza di Intel nel settore delle NAND in Cina. La transazione, del valore di 9 miliardi di dollari, è stata annunciata nel 2020 e completata ad aprile di quest'anno. L'impianto di Dalian, precedentemente di Intel, ha ora cambiato nome per riflettere la nuova proprietà e vede Young-Sik Kim come rappresentante legale.
Il cambiamento arriva in un momento critico, a seguito della revoca da parte del Dipartimento del Commercio degli Stati Uniti delle licenze 'Validated End-User' (VEU). Queste licenze permettevano a Samsung e SK hynix di importare strumenti semiconduttori americani in Cina senza approvazioni caso per caso. La revoca, che diventerà effettiva il 31 dicembre, limita drasticamente la possibilità di aggiornamenti tecnologici avanzati per il sito di Dalian.
Attualmente, l'impianto produce NAND a 192 layer, tecnologia ereditata da Intel. Tuttavia, senza accesso a strumenti più moderni, il futuro della produzione avanzata nella struttura potrebbe essere compromesso, rendendo difficile la transizione verso tecnologie più avanzate come i 238 o 321 layer di SK hynix.
Cosa ha comportato l'acquisizione della divisione NAND e SSD di Intel da parte di SK hynix?
L'acquisizione, completata in due fasi tra il 2021 e il 2025, ha trasferito a SK hynix il business delle memorie NAND e SSD di Intel, inclusa la fabbrica di Dalian in Cina. Intel ha mantenuto la tecnologia Optane, mentre SK hynix ha creato la sussidiaria Solidigm per gestire le nuove attività.
Quali sono le implicazioni della revoca delle licenze VEU da parte del Dipartimento del Commercio degli Stati Uniti per SK hynix?
La revoca delle licenze VEU obbliga SK hynix a ottenere approvazioni caso per caso per importare strumenti semiconduttori americani in Cina, limitando la possibilità di aggiornamenti tecnologici avanzati nel sito di Dalian.
Qual è l'attuale capacità produttiva dell'impianto di Dalian e quali sono le sfide future?
L'impianto di Dalian produce NAND a 192 layer, tecnologia ereditata da Intel. Senza accesso a strumenti più moderni, la transizione verso tecnologie più avanzate come i 238 o 321 layer potrebbe essere compromessa.
Quali sono le differenze tra le memorie NAND e le memorie Optane?
Le memorie NAND sono utilizzate principalmente per l'archiviazione di dati, offrendo alta capacità a costi relativamente bassi. Le memorie Optane, invece, combinano velocità elevate con bassa latenza, posizionandosi tra la RAM e le NAND in termini di prestazioni e costo.
Come influiscono le restrizioni statunitensi sulle operazioni di SK hynix in Cina?
Le restrizioni limitano la capacità di SK hynix di aggiornare e ampliare le sue operazioni in Cina, potenzialmente rallentando l'adozione di tecnologie più avanzate e influenzando la competitività nel mercato globale dei semiconduttori.
Qual è l'importanza strategica della fabbrica di Dalian per SK hynix?
La fabbrica di Dalian rappresenta un asset chiave per SK hynix, permettendo l'espansione della produzione di memorie NAND e rafforzando la presenza dell'azienda nel mercato cinese, uno dei più grandi consumatori di semiconduttori al mondo.
