SK hynix: hybrid bonding HBM5 sarà la svolta nella memoria AI
La transizione verso l’hybrid bonding nelle memorie HBM slitta a HBM5: limiti tecnici e nuove strategie per rispondere alle esigenze dell’AI.
SK hynix ha chiarito che la tanto attesa transizione dell’industria verso l’hybrid bonding per le memorie HBM (High Bandwidth Memory) non avverrà con HBM4E, ma sarà rimandata almeno alla generazione HBM5. Il limite tecnico principale è rappresentato dallo spessore massimo di 775 micron, imposto dalla standardizzazione dei wafer di logica, che complica ulteriori aumenti del numero di strati DRAM impilati.
Le attuali soluzioni, basate sul processo Mass Reflow-Molded Underfill (MR-MUF), permettono di impilare fino a 16 strati (16-Hi), ma richiedono wafer di DRAM sempre più sottili e tolleranze molto strette, causando problemi di dissipazione termica e produzione. L’hybrid bonding promette di risolvere parte di questi problemi, eliminando i micro-bump e abilitando impilamenti più alti e performanti, ma rimane una tecnologia ancora in fase di ricerca per stack sopra i 20 layer.
La roadmap proposta da SK hynix colloca la produzione su larga scala di hybrid bonding tra il 2029 e il 2030, con le prime applicazioni pratiche attese su HBM5. Nel frattempo, l’azienda continua a sviluppare soluzioni termiche innovative, come l’iHBM cooling architecture, per rispondere alle crescenti esigenze di bandwidth e capacity imposte dall’intelligenza artificiale.
