SMIC supera Intel su metal pitch a 7nm, ma resta indietro su densità
L’analisi del Kirin 9030 rivela come SMIC abbia raggiunto un pitch record senza EUV, ma con una densità inferiore rispetto al nodo 18A di Intel.
Il primo teardown del nuovo laboratorio di SemiAnalysis si è concentrato sulla struttura interna del HiSilicon Kirin 9030, il processore progettato per gli smartphone Huawei Mate 80 e realizzato con il processo N+3 di SMIC. L’analisi evidenzia come SMIC sia riuscita a raggiungere un local metal pitch di 32,5nm, più stretto dei 36nm implementati da Intel sui chip Panther Lake in tecnologia 18A.
Tuttavia, dal punto di vista della densità di transistor, il nodo cinese resta indietro: secondo SemiAnalysis, il processo N+3 conta 113,4 milioni di transistor per mm², contro una densità superiore del 38% offerta dalla soluzione Intel 18A. Il risultato di SMIC è stato ottenuto senza ricorrere alla litografia EUV, ma sfruttando macchinari DUV e tecniche avanzate di quadruple-patterning, che aumentano la complessità e i costi produttivi.
Grazie a vari accorgimenti tecnici, SMIC ha superato la densità di TSMC N6, ma le prestazioni complessive del Kirin 9030 restano allineate ai flagship Android di tre anni fa e distanti dagli attuali chip di Apple, Qualcomm e MediaTek.
