Intel svela XBM: nuova memoria ad alta banda senza interposer
Il brevetto Intel introduce XBM, un’architettura alternativa a HBM che punta su costi ridotti, UCIe e riparabilità integrata.
Intel ha recentemente pubblicato un brevetto che descrive Cross-Batch Memory (XBM), un’architettura di memoria ad altissima banda progettata per superare i limiti di costo e complessità di HBM attualmente basata su interposer in silicio. XBM sostituisce la struttura tradizionale: integra celle DRAM 1T1C realizzate nel back-end-of-line (BEOL), collegate tra loro tramite TSV e gestite da una logica di base che utilizza connessioni seriali UCIe fino a 32 GT/s.
L’approccio elimina l’interposer, riducendo significativamente l’ingombro del package e i costi d’assemblaggio. Ogni die di memoria contiene circa 1,5 GB, con stack fino a 16 livelli e architettura pensata per una riparazione post-assemblaggio grazie a canali ridondanti e logiche BISR. Intel introduce anche soluzioni per abbattere la Z-height e migliorare l’efficienza energetica alimentando la DRAM direttamente dal regolatore di tensione.
Sebbene la soluzione offra vantaggi concreti in termini di packaging e riparabilità, il brevetto non indica una roadmap di prodotto e rimangono dubbi sull’efficacia della realizzazione su larga scala. XBM si distingue inoltre dalle altre iniziative Intel come ZAM, focalizzandosi su transistor e interfaccia piuttosto che sul bonding.
