Nuova memoria 'DRAM+' unisce prestazioni DRAM e capacità SSD
La FeRAM di ossido di afnio promette alta capacità e non-volatilità per molteplici applicazioni.
Ferroelectric Memory Co. (FMC) e Neumonda collaborano per produrre in Germania la memoria DRAM+, utilizzando la tecnologia Ferroelectric RAM (FeRAM) basata su ossido di afnio. Questo approccio consente di coniugare le elevate prestazioni della DRAM con le capacità di archiviazione non-volatili simili agli SSD.
L'ossido di afnio rappresenta una svolta significativa rispetto alle tecnologie FeRAM precedenti, come il PZT, grazie alla sua compatibilità con i processi CMOS e alla capacità di scalare sotto i 10nm. Ciò permette di raggiungere densità più elevate, potenzialmente misurabili in gigabit o gigabyte.
FMC sostiene che questa memoria possa trovare applicazione in diversi settori, tra cui AI, automotive, e medicale. "La nostra tecnologia è unica e, con Neumonda, possiamo testare i nostri prodotti in modo efficace ed economico", ha dichiarato Thomas Rueckes, CEO di FMC.
Neumonda offre piattaforme di test avanzate come Rhinoe, Octopus e Raptor, che permettono analisi dettagliate a costi ridotti. "Il nostro obiettivo è riportare la produzione di memoria in Europa", ha affermato Peter Poechmueller, CEO di Neumonda.
