SanDisk ridefinisce gli standard degli SSD NVMe con WD Black SN8100
Il nuovo SSD NVMe di SanDisk supera in prestazioni i modelli di punta come il Crucial T705.
SanDisk ha lanciato ufficialmente il WD Black SN8100, l'ultimo SSD NVMe PCIe Gen 5 di alta gamma, destinato agli appassionati di PC, gamer e utenti professionali. Con velocità di lettura sequenziale fino a 14.900 MB/s e scrittura fino a 14.000 MB/s, il drive stabilisce un nuovo standard per le prestazioni degli SSD consumer, superando modelli di punta come il Crucial T705.
Il WD Black SN8100 è disponibile nei formati da 1TB, 2TB, 4TB e 8TB. Interessante notare che il modello da 1TB offre velocità di scrittura inferiori, fino a 11.000 MB/s, rispetto alle versioni di capacità maggiore. Questo SSD utilizza il NAND BiCS8 TLC 3D CBA di SanDisk, ottimizzato per migliorare le prestazioni termiche e ridurre il consumo energetico, assestandosi su una media di soli 7W, il che rappresenta un miglioramento significativo rispetto ai modelli PCIe Gen 4.0.
In confronto al Crucial T705, il SN8100 offre vantaggi chiari: è marginalmente più veloce nelle letture e significativamente più veloce nelle scritture. Inoltre, fornisce una performance casuale superiore, con 2,3 milioni di IOPS per letture e scritture, rispetto a 1,5 milioni del T705. Queste specifiche si traducono in un minore consumo energetico e migliori prestazioni in spazi ridotti.
Quali sono le specifiche principali del WD Black SN8100?
Il WD Black SN8100 è un SSD NVMe PCIe Gen 5 che offre velocità di lettura sequenziale fino a 14.900 MB/s e scrittura fino a 14.000 MB/s. È disponibile in capacità da 1TB, 2TB, 4TB e 8TB, con il modello da 1TB che presenta velocità di scrittura inferiori, fino a 11.000 MB/s. Utilizza la tecnologia NAND BiCS8 TLC 3D CBA di SanDisk, ottimizzata per migliorare le prestazioni termiche e ridurre il consumo energetico, con una media di soli 7W.
Come si confronta il WD Black SN8100 con il Crucial T705?
Il WD Black SN8100 supera il Crucial T705 in termini di velocità di lettura e scrittura sequenziale, offrendo rispettivamente 14.900 MB/s e 14.000 MB/s, rispetto ai 14.500 MB/s e 12.700 MB/s del T705. Inoltre, il SN8100 offre una performance casuale superiore, con 2,3 milioni di IOPS per letture e scritture, rispetto a 1,5 milioni del T705. Queste specifiche si traducono in un minore consumo energetico e migliori prestazioni in spazi ridotti.
Quali sono i vantaggi della tecnologia NAND BiCS8 TLC 3D CBA utilizzata nel WD Black SN8100?
La tecnologia NAND BiCS8 TLC 3D CBA di SanDisk offre miglioramenti significativi nelle prestazioni termiche e nell'efficienza energetica. Questo si traduce in un consumo energetico medio di soli 7W per il WD Black SN8100, rappresentando un miglioramento significativo rispetto ai modelli PCIe Gen 4.0. Inoltre, contribuisce a mantenere elevate le prestazioni dell'SSD anche in condizioni di utilizzo intensivo.
Cosa significa PCIe Gen 5 e quali vantaggi offre rispetto alle generazioni precedenti?
PCIe Gen 5 è la quinta generazione dell'interfaccia PCI Express, che raddoppia la larghezza di banda rispetto alla precedente PCIe Gen 4. Questo consente trasferimenti di dati più rapidi, migliorando le prestazioni complessive di dispositivi come gli SSD. Per sfruttare appieno i vantaggi di PCIe Gen 5, è necessario disporre di una scheda madre e di una CPU compatibili con questa tecnologia.
Quali sono le considerazioni termiche per gli SSD PCIe Gen 5 ad alte prestazioni?
Gli SSD PCIe Gen 5 ad alte prestazioni, come il WD Black SN8100, generano più calore rispetto alle generazioni precedenti a causa delle velocità di trasferimento dati più elevate. È quindi fondamentale garantire un adeguato raffreddamento, utilizzando dissipatori di calore o soluzioni di raffreddamento attive, per mantenere le prestazioni ottimali e prevenire il thermal throttling.
Come influisce la capacità dell'SSD sulle sue prestazioni?
La capacità di un SSD può influenzare le sue prestazioni. Ad esempio, nel caso del WD Black SN8100, il modello da 1TB offre velocità di scrittura inferiori (fino a 11.000 MB/s) rispetto ai modelli di capacità maggiore, che raggiungono fino a 14.000 MB/s. Questo è dovuto alla configurazione interna dei chip di memoria e al parallelismo disponibile nei modelli di capacità superiore.
