Huang: Cina vicina a sviluppare sistemi di litografia avanzata per semiconduttori
Il CEO di Nvidia prevede che la Cina raggiungerà l'autosufficienza nella litografia entro il 2030, ma le sfide restano numerose.
Il CEO di Nvidia, Jensen Huang, ha dichiarato che la Cina potrebbe sviluppare sistemi di lithography avanzata entro il 2030, colmando così il gap con i principali fornitori occidentali come ASML. Secondo Huang, “è solo questione di tempo” prima che il settore cinese raggiunga la piena indipendenza tecnologica nella produzione di semiconduttori.
Attualmente, la Cina è in grado di produrre scanner a secco ArF da 193 nm, sufficienti per tecnologie a 90 nm, mentre lo sviluppo di scanner immersione per processi a 28 nm è ancora in fase iniziale e lontano dalla produzione di massa. Anche se alcuni produttori locali, come Shanghai Micro Electronics Equipment, stanno registrando progressi, l’adozione su larga scala di queste tecnologie richiederà anni.
Per quanto riguarda la lithography EUV a 13,5 nanometri, la Cina si trova ancora più indietro: sono stati compiuti alcuni passi nella generazione della luce necessaria, ma la realizzazione di uno scanner EUV completo appare ancora distante.
Nonostante i progressi e gli investimenti significativi nel settore, la parità tecnologica con i leader globali entro il 2030 rimane una sfida complessa, soprattutto considerando le difficoltà nella produzione di scanner DUV di qualità industriale e la maggiore complessità della tecnologia EUV.
