SK hynix avvia la costruzione del primo impianto HBM negli USA
La produzione di moduli HBM negli Stati Uniti partirà nel 2029, rafforzando la filiera AI locale e le collaborazioni in R&D.
SK hynix ha dato il via ufficiale ai lavori per il primo impianto statunitense dedicato all'High-bandwidth memory (HBM), tecnologia essenziale per i moderni sistemi AI. Il nuovo sito produttivo sorgerà a West Lafayette, Indiana, e rappresenta un investimento di circa 4 miliardi di dollari.
La struttura sarà focalizzata su advanced packaging, test e ricerca avanzata nell’ambito HBM. L’apertura delle cleanroom è prevista per ottobre 2028, mentre la produzione su larga scala di moduli HBM di nuova generazione inizierà nella seconda metà del 2029. L’impianto darà lavoro a circa 1.000 persone e permetterà a SK hynix di offrire i primi prodotti HBM realizzati negli Stati Uniti, anche se le wafer DRAM e i base die continueranno a essere prodotti tra Corea del Sud, Taiwan e USA.
Accanto all’area produttiva, sorgerà un Advanced Packaging R&D Testbed, per collaborare con clienti, università e partner commerciali nello sviluppo e nella prototipazione di nuove tecnologie di packaging. SK hynix ha inoltre siglato un accordo con la Purdue University per la ricerca congiunta in system integration e tecnologie di packaging avanzato.
Questa iniziativa rafforza la posizione degli Stati Uniti come centro nevralgico per l’innovazione nell’AI e rappresenta un passo strategico per SK hynix nella filiera globale della memoria ad alte prestazioni.
