TSMC annuncia l'adozione della litografia High-NA EUV dal 2030
La nuova tecnologia High-NA EUV promette maggiore densità transistor e avanzamenti per i nodi A10/A11 nei semiconduttori di prossima generazione.
TSMC ha annunciato che inizierà a utilizzare la litografia High-NA EUV a partire dal 2030 nella produzione di semiconduttori avanzati. Questa scelta segna un passaggio cruciale per l’industria, poiché le tecnologie Low-NA EUV attuali non saranno più sufficienti per sostenere la crescente complessità dei nuovi nodi produttivi.
La High-NA EUV, caratterizzata da ottiche con apertura numerica 0.55, consente una risoluzione di 8nm a singola esposizione, rispetto ai 13nm delle tecnologie attuali, facilitando così architetture sempre più miniaturizzate come i transistor gate-all-around (GAA) e i futuri CFET. Secondo la roadmap di TSMC, i nodi A10 o A11 (1/1.1nm-class) sono i candidati principali per l’adozione iniziale di questa tecnologia, che dovrebbe garantire un significativo incremento di densità, efficienza energetica e prestazioni.
Il passaggio alla High-NA comporta sfide importanti: l’uso di fotomaschere 6×6 pollici limita la dimensione dei die, costringendo a soluzioni come lo stitching dei campi o la progettazione multi-chiplet. Per rispondere a queste criticità, TSMC sta collaborando con ASML per sviluppare fotomaschere 6×12 pollici, una transizione che richiederà un’evoluzione complessiva dell’ecosistema produttivo.
