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2. La memoria HBM4 raddoppierà le velocità nel 2026 - Interfaccia a 2048 bit per rivoluzionare l'intelligenza artificiale e il mercato HPC: Rapporto

HBM4, la nuova tecnologia di memoria ad alta larghezza di banda, promette di raddoppiare le velocità e rivoluzionare i mercati dell'intelligenza artificiale e dell'high-performance computing. Previsto il debutto nel 2026, HBM4 utilizzerà una nuova tecnologia di processo a 12nm per il suo die di base, realizzato dalle fonderie anziché dai produttori di DRAM. Questo sviluppo sarà il risultato di una collaborazione tra le fonderie e i fornitori di memoria, per soddisfare le esigenze dei futuri processori per l'AI e l'HPC da parte di AMD, Nvidia e Intel. La personalizzazione è un aspetto cruciale identificato da TrendForce, che prevede nuove strategie di progettazione e di prezzo per l'industria dell'HBM.

Oggi, TrendForce ha gettato un po' di luce sul futuro della tecnologia di memoria ad alta larghezza di banda (HBM) e in particolare su HBM4, che dovrebbe debuttare nel 2026.

Questa prossima tecnologia promette di estendere la sua interfaccia a 2048 bit e di cambiare sostanzialmente l'architettura. TrendForce afferma che HBM4 si allontanerà significativamente dalle tradizionali tecnologie DRAM standardizzate per offrire soluzioni più personalizzate.

HBM4 sarà il primo a utilizzare una tecnologia di processo logico a 12 nm per il suo die di base, che sarà realizzato non dai produttori di DRAM, ma dalle fonderie. Questo sviluppo sarà un'opera collaborativa tra le fonderie e i fornitori di memoria, il che significa essenzialmente una relazione simbiotica per far avanzare la tecnologia di memoria ad alta velocità. Le prestazioni migliorate e l'insieme di funzionalità potenziate di HBM4 sono progettate per soddisfare le esigenze dei futuri processori per l'intelligenza artificiale (AI) e l'elaborazione ad alte prestazioni (HPC) dei principali attori del settore come AMD, Nvidia e Intel.

Il passaggio verso la personalizzazione nel mercato HBM4 è un aspetto cruciale identificato da TrendForce. Questo si discosta dall'approccio tradizionale e standardizzato delle DRAM di tipo commodity, il che segna una svolta importante nel settore. I compratori stanno cercando sempre più specifiche personalizzate ed esplorano opzioni innovative, come impilare HBM direttamente sopra i system-on-chips (SoCs).

Questo trend verso la personalizzazione si prevede che porterà nuove strategie di progettazione e di prezzo all'industria HBM. Man mano che la tecnologia della memoria diventa sempre più specializzata e adattata a esigenze specifiche, si aprirà la strada a una nuova era della tecnologia HBM caratterizzata da innovazione, specializzazione e una svolta rispetto all'approccio 'taglia unica' attuale. Questa evoluzione in HBM4 e oltre indica un panorama dinamico e in rapido avanzamento nella tecnologia di memoria ad alta velocità.

Un'altra caratteristica distintiva di HBM4 è il passaggio dagli attuali stack a 12 strati (12Hi) a stack più avanzati a 16 strati (16Hi), aumentando la capacità del modulo di memoria. Questo passaggio, previsto per il 2027, richiederà l'utilizzo di nuove tecniche di bonding ibrido per aumentare il numero di strati mantenendo l'integrità degli stack di memoria.

Ma mentre HBM4 rivoluzionerà il mercato della memoria, mancano ancora anni. Di conseguenza, HBM3E avrà una lunga durata.