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2. Samsung rivela i piani per la DRAM 3D a 16 strati con VCT DRAM come trampolino di lancio - IMW 2024 dettaglia il futuro della RAM compatta ad alta densità

Samsung sta pianificando di sviluppare chip con 16 strati di DRAM, con l'obiettivo di commercializzare la tecnologia 3D DRAM entro il 2030. La conferenza IMW 2024 ha evidenziato i progressi di Samsung nel campo dell'innovazione della DRAM, con un focus sul VCT DRAM. Questo nuovo design compatto e efficiente richiede materiali e tecnologie avanzate per la produzione su larga scala. Samsung si prepara a lanciare il processo 4F Square nel 2025, in anticipo rispetto alle aspettative del settore.

Le innovazioni di Samsung nel campo della DRAM

Samsung sta lavorando duramente per sviluppare la DRAM 3D, il futuro della RAM compatta, secondo quanto presentato all'IMW 2024. La VCT (transistor a canale verticale) DRAM è la prima montagna da scalare in questo obiettivo e Samsung prevede di completare lo sviluppo iniziale l'anno prossimo, con la commercializzazione della DRAM 3D entro il 2030.

All'IMW 2024, una conferenza internazionale per i fornitori di memoria informatica, Samsung ha delineato recentemente i suoi sviluppi nel campo dell'innovazione della DRAM come riportato da ZDNet Korea. Lee Si-woo, Vice President di Samsung, ha parlato della ricerca di Samsung sulla 4F Square VCT DRAM e sulla DRAM 3D.

Le parole del Vice President Lee

'Sviluppi industriali come l'IA iperscaler e l'IA on-demand richiedono molta capacità di elaborazione della memoria. D'altra parte, la tecnologia di microelaborazione della DRAM esistente è limitata,' ha dichiarato Lee. Ma nei prossimi anni, Lee prevede che 'nuove innovazioni sono attese nella struttura delle celle.'

La rivoluzione del 4F Square VCT DRAM

Una di queste innovazioni è l'arrivo del 4F Square VCT DRAM, il design DRAM più compatto mai realizzato. Il design 4F Square utilizzerà l'impilamento verticale per ridurre le dimensioni delle celle DRAM di circa il 30% rispetto alla struttura delle celle DRAM standard attuale a 6F Square. Il 4F Square, oltre ad essere più compatto orizzontalmente, diventerà più efficiente dal punto di vista energetico rispetto ai suoi predecessori, ma richiede estrema precisione nella fabbricazione, migliori materiali per la produzione e ulteriori ricerche per renderlo scalabile e produttibile su larga scala. Molte aziende affermano di aver reso operativa questa tecnologia fino ad ora.

Il futuro della DRAM

Lo stacking verticale della DRAM, come il 4F Square e eventualmente la vera DRAM 3D, sono i prossimi passi per l'innovazione nell'aumento della capacità e dell'efficienza della DRAM. L'industria sta puntando in questa direzione da oltre un decennio, ma è stata particolarmente spinta dal successo commerciale e funzionale del 3D NAND, un principio simile applicato alla memoria flash NAND. Il 3D NAND, introdotto sul mercato da Samsung nel 2013 (Samsung lo chiama V-NAND), sarà l'ispirazione per la DRAM 3D, con una grande novità.

La flash NAND è una tecnologia alimentata passivamente, quindi può salvare i dati anche quando è spenta, proprio come un telefono cellulare memorizza file anche quando è spento. Questa memoria non volatile è molto diversa dalla DRAM, una memoria volatile che può salvare i dati solo quando è alimentata. La natura volatile della DRAM la rende considerevolmente più veloce e molto più affidabile rispetto alla NAND, ma rende anche lo stacking dei livelli di DRAM considerevolmente più difficile rispetto allo stacking della NAND, poiché più potenza e dati devono essere in grado di salire e scendere lungo i livelli impilati.

La sfida ingegneristica di Samsung

Questa considerevole sfida ingegneristica unita alla convinzione di Samsung che la DRAM 3D richiederà l'adozione di nuovi materiali per i condensatori e le linee di bit significa che Samsung non prevede di avere la DRAM 3D disponibile commercialmente prima del 2030. Samsung probabilmente non sarà sconfitta in questa corsa, poiché le previsioni interne sono in anticipo rispetto alle aspettative del settore. Tokyo Electron prevede che nemmeno la VCT DRAM sarà disponibile commercialmente prima del 2027.

Tuttavia, Samsung è nota per sfidare le aspettative della memoria. Si pensava che il 3D NAND avesse un tetto teorico di 128 strati impilati, ma Samsung è pronta a rilasciare prodotti a 290 strati quest'anno.